氮化铝陶瓷是一种以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷材料,再在氮化铝陶瓷基片上面蚀刻金属电路,就是氮化铝陶瓷基板了。 1、氮化铝陶瓷英文:AluminiumNitrideCeramic,是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。 2、AIN晶体以(AIN4)四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。 3、化学组成AI65.81%,N34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,单晶无色透明,常压下的升华分解温度为2450℃。 4、氮化铝陶瓷为一种高温耐热材料,热膨胀系数(4.0-6.0)X10(-6)/℃。 5、多晶AIN热导率达260W/(m.k),比氧化铝高5-8倍,所以耐热冲击好,能耐2200℃的高温。 6、氮化铝陶瓷具有较好的耐侵蚀性。 陶瓷电路板具有良好的高频性能和电学性能,且具有热导率高、化学稳定性和热稳定性优良等农业生产体系基板不具备的性能,是新一代大规模集成电路以及功率电子模块的理想封装材料。近年来陶瓷电路板得到了广泛的关注和迅速发展。公司主要产品是陶瓷基电路板,如氧化铝陶瓷电路板、氮化铝陶瓷电路板、氧化锆陶瓷电路板、玻璃电路板、LED陶瓷电路板(包括二维和三维电路板)等,以及部分环氧三维电路板,采用自主研发的激光快速活化金属化技术(Laser Activation Metallization, 简称LAM技术)技术制作而成。
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